第三代半导体材料功率器件成功验证 牵引航天电源升级换代

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,对我国制造业转型升级起到关键作用。中国科学院微电子研究所透露,我国已在太空成功验证了首款国产碳化硅功率器件,这将推动航天电源技术的发展。

功率器件是电能变换和控制的核心,被称为“电力电子系统的心脏”。随着传统硅基功率器件性能接近极限,碳化硅等新材料凭借其独特优势,能够满足空间电源系统的高能效、小型化和轻量化需求,对新一代航天技术具有重要战略意义。

2024年11月15日,由中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队与中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队共同研制的碳化硅载荷系统,随天舟八号货运飞船进入太空,开展了一系列科学试验。此次任务旨在验证国产高压抗辐射碳化硅功率器件的空间性能,并在航天电源中进行应用测试,同时研究综合辐射效应,以提升航天数字电源功率,目标是使单电源模块达到千瓦级。

经过一个多月的在轨加电试验,碳化硅载荷系统表现良好,成功完成了高压400V碳化硅功率器件的在轨试验与应用验证,各项参数均符合预期。业内专家表示,这一成果标志着碳化硅功率器件有望引领空间电源系统的升级换代,为我国未来的探月工程、载人登月及深空探测提供强有力的技术支持。

责任编辑:张小花 TT1000

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